Samsung
Samsung 990 EVO Plus 4 TB Interne M.2 PCIe NVMe SSD 2280 M.2 NVMe
Rasant durch deinen Tag Erledige deine Aufgaben im Handumdrehen. Die 990 EVO Plus mit aktuellem NAND-Flash-Speicher bietet sequenzielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7.250/6.300 MB/s. Große Dateien, schnell übertagen. Mit cooler Power durch den Tag Viel Effizienz für hohe Performance. Der nickelbeschichtete Controller erhöht die MB/s pro Watt im Vergleich zur 990 EVO um bis zu 73% und erreicht die gleiche Leistung und Wärmekontrolle bei weniger Stromverbrauch. Fokussiere dich ganz auf deine Arbeit oder dein Gaming, ohne dir Gedanken um Überhitzung oder die Akkulaufzeit machen zu müssen. Viel Platz. Viel Geschwindigkeit. Nutze die volle Leistung deines Laufwerks mit intelligentem TurboWrite 2.0. Verarbeite schnell große Datenmengen und bewältige anspruchsvolle Grafiken mit einem großen TurboWrite-Bereich, der jetzt mit einer Kapazität von bis zu 4 TB erhältlich ist. Samsung Magician Software Moderne Laufwerksverwaltung wie von Zauberhand mit der Samsung Magician Software. Die benutzerfreundliche Software-Lösung kann dir dabei helfen, immer ein Auge auf deine SSD zu haben. Damit kannst du dein Laufwerk mit Updates auf dem neusten Stand halten, Statusparameter und Geschwindigkeit überwachen und auch die Leistungsfähigkeit anpassen. Es wird empfohlen, die Firmware deiner Samsung SSDs immer auf die neueste Version zu aktualisieren. Moderne Technologie mit Leben füllen Seit Jahrzehnten ist der Samsung NAND-Flash-Speicher ein Motor für moderne Technologien, die unser tägliches Leben verändert haben. Die NAND-Flash-Technologie treibt unsere SSDs an und schafft Raum für den nächsten Schub moderner Technologie. Leistung Sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 7.250 MB/s. Damit bis zu 45% schneller als die 990 EVO. Energieeffizienz Um bis zu 73% höhere Energieeffizienz im Vergleich zur 990 EVO für mehr MB/s pro Watt bei konstanter Leistung und Wärmekontrolle. Vielseitigkeit Hohe Kapazität von bis zu 4 TB und schnelles intelligentes TurboWrite 2.0 mit vergrößertem TurboWrite-Bereich. Merkmale NVMe Version: 2.0 Unterstützte Sicherheitsalgorithmen: 256-bit AES SSD Speicherkapazität: 4 TB SSD-Formfaktor: M.2 Schnittstelle: PCI Express 4.0 NVMe: Ja Speichertyp: V-NAND TLC Komponente für: PC Hardwareverschlüsselung: Ja M.2 SSD- Größe: 2280 (22 x 80 mm) Lesegeschwindigkeit: 7250 MB/s Schreibgeschwindigkeit: 6300 MB/s Zufälliges Lesen (4KB): 1050000 IOPS Zufälliges Schreiben (4KB): 1400000 IOPS DevSlp (Geräteschlaf)-Unterstützung: Ja S.M.A.R.T. Unterstützung: Ja TRIM-Unterstützung: Ja Mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF): 1500000 h Energie Arbeitsspannung: 3,3 V Energieverbrauch (lesen): 5,5 W Energieverbrauch (schreiben): 4,8 W Energieverbrauch (idle): 0,06 W Leistungsaufnahme DevSlp (Geräte Schlaf): 5 mW Gewicht und Abmessungen Breite: 80,2 mm Tiefe: 2,38 mm Höhe: 80,2 mm Gewicht: 9 g Verpackungsdaten Verpackungsbreite: 148 mm Verpackungstiefe: 100 mm Verpackungshöhe: 22 mm Paketgewicht: 70 g Betriebsbedingungen Betriebstemperatur: 0 - 70 °C Stoßfestigkeit in Betrieb: 1500 G
Angebot
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Preisverlauf (Tiefstpreis)
2026-07-12 – 2026-07-27min CHF 560.90 · max CHF 664.18
Produktdetails
- Hersteller
- Samsung
- GTIN
- 08806095575667