Samsung
Samsung 990 2 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND - Samsung 990, 2 TB,
Samsung 990. SDD, capacidad: 2 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7250 MB/s, Velocidad de escritura: 6450 MB/s, Componente para: PC Peso y dimensiones Ancho: 80,2 mm Profundidad: 2,38 mm Altura: 22,1 mm Control de energía Voltaje de operación: 3,3 V Consumo de energía (lectura): 4,3 W Consumo de energía (escritura): 3,8 W Consumo de energía (espera): 0,055 W Consumo de potencia DevSlp (modo sueño): 3 mW Condiciones ambientales Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C Golpes en funcionamiento: 1500 G Empaquetado Tipo de embalaje: Caja Características SDD, capacidad: 2 TB Factor de forma de disco SSD: M.2 Interfaz: PCI Express 4.0 NVMe: Si Tipo de memoria: V-NAND Componente para: PC Encriptación de hardware: Si Versión NVMe: 2.0 Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES, TCG Opal 2.0 Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm) Velocidad de lectura: 7250 MB/s Velocidad de escritura: 6450 MB/s Lectura aleatoria (4KB): 850000 IOPS Escritura aleatoria (4KB): 1200000 IOPS Carriles datos de interfaz PCI Express: x4 Función DevSleep: Si Revisión PCI Express CEM: 4.0 Soporte S.M.A.R.T.: Si Soporte TRIM: Si Tiempo medio entre fallos: 1500000 hMostrar más
Oferta
Todos los precios con IVA; gastos de envío según el feed de la tienda. El clic lleva directamente a la página del producto en la tienda.
Evolución del precio (precio mínimo)
Alerta de precio
Avísame cuando baje el precio de este artículo.
Detalles del producto
- Marcas
- Samsung
- GTIN
- 08806099020705